Флэшка уступает своё место мемристорам


Сотрудники ННГУ получили патент на изобретение «Способ оценки энергий активации диффузии ионов кислорода в филаменте мемристора».

Работа выполнена в научно-исследовательской лаборатории (НИЛ) стохастических мультистабильных систем («СтоЛаб») научно-образовательного центра «Физика твердотельных наноструктур» ННГУ, созданной под руководством Бернардо Спаньоло (Университет Палермо, Италия).

Предлагаемый способ расширяет арсенал измерительных технологий в актуальной области изготовления мемристоров, являющихся основой нового поколения устройств энергонезависимой памяти.

Перспективная память на мемристорах может быть гораздо быстрее и плотнее, чем современная флэш-память. С их помощью может быть полностью заменена оперативная память компьютеров. Так как мемристор фиксирует в памяти пропущенный заряд, то в компьютерах можно исключить такое понятие как «загрузка системы». Работа будет продолжаться с того места, на котором она остановлена в предыдущий раз. Более того, энергоэффективные вычислительные системы с возможностью фиксации текущего состояния даже после аварийного отключения питания – это сильный прорыв вперёд в области вычислительной техники.

Перспективы внедрения мемристоров огромны. С их помощью можно будет создать искусственный синапс в составном комплексе нейронных сетей. Результаты исследования опубликованы в журнале Applied Physics Letters.

«Сущность изобретения заключается в определении вероятностного распределения энергий из результатов измерения и анализа спектральной плотности мощности низкочастотного шума электронного тока через мемристор при фиксированной температуре», – отмечает д.ф.-м.н., профессор кафедры статистической радиофизики и мобильных систем связи радиофизического факультета ННГУ, главный научный сотрудник НИЛ «СтоЛаб» Аркадий Якимов

Исследования выполнены в рамках мегагранта Правительства Российской Федерации для государственной поддержки научных исследований, проводимых под руководством ведущих ученых в российских образовательных организациях высшего образования, научных учреждениях, подведомственных Федеральному агентству научных организаций, и государственных научных центрах Российской Федерации (соглашение 074‑02‑2018‑330 (2).

Дмитрий Степнов

Источник: rusplt.ru